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SUP60N10-16L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
2.5
2.0
On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.5
10
T J = 150 _ C
T J = 25 _ C
1.0
0.5
0.0
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T J - Junction Temperature ( _ C)
130
125
120
115
110
105
100
95
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
I D = 10 mA
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature ( _ C)
www.vishay.com
4
Document Number: 71928
S-03600—Rev. B, 31-Mar-03
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